자성박막기술의 정보저장기기 응용
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작성일 23-10-19 08:46
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정보저장기기의 매우 중요한 분야인 자성을 이용한 기록/저장방식으로의 자기헤드기술과 자기기록매체기술, 그리고 비휘발성 MRAM소자에 대한 고찰을 통해 앞으로의 기술발전을 전망한 리포트입니다. 또한 IBM은 자기저항이 5~6% 이상을 갖는 교환 결합형 스핀밸브 구조를 발표하여 고 기록 밀도에 보조를 맞추기 위한 GMR헤드의 가능성을 제시하였다. 100Gbit/in2 의 기록밀도를 달성하기 위해서 재생저항 박막에 요구되어지는 다양한 特性 중 가장 중요한 特性은 고 기록 밀도 시 비트의 크기가 감소함에 따라서 비트에서 나오는 신호가 작아지므로 그 작은 신호를 감지하기 위한 자기저항비가 큰 재료의 개발이다. 교환 결합형 스핀밸브는 FM/NM/FM/AF의 구조로 비자성 박막을 사이에 두고 양면에 강자성 박막을 가지고 있으며 한쪽은 강자성 박막이 반강자성 박막과 결합하여 강자성 박막의 히스테리시스 곡선이 원점에서 특정한 크기로 이동한 구조를 가지고 있다아 고 기록 밀도를 달성하기 위해서는 다양한 기술이 요구되고 있지만 그 중에서 가장 중요한 기술은 재생헤드에 사용되는 자기저항 비의 향상을 가져온 거대자기저항 박막 기술이다. 초…(투비컨티뉴드 )
정보저장기기의 매우 중요한 분야인 자성을 이용한 기록/저장방식으로의 자기헤드기술과 자기기록매체기술, 그리고 비휘발성 MRAM소자에 대한 고찰을 통해 앞으로의 기술발전을 전망한 리포트입니다.
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