[전자기론] 트랜지스터의 特性(특성) 實驗(실험)방법
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작성일 23-04-30 11:09
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4.실험 방법
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트랜지스터의 특성 실험방법
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2.원리
트랜지스터(TR)의 구조는 base라 부르는 중앙의 n(또는 p)형 층의 양옆에 emitter와 collector라고 부르는 p(또는 n형)의 층을 접합시켜 놓은 것이다. 그림 1의 경우는 베이스 접지형의 p-n-p트랜지스터의 구조를 보여준다.
[전자기론] 트랜지스터의 특성 실험방법
목차
3.기구 및 장치
2.원리
순서
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1.목적
[전자기론] 트랜지스터의 特性(특성) 實驗(실험)방법
[전자기론] 트랜지스터의 특성 실험방법
설명
1.목적
다.
[전자기론] 트랜지스터의 特性(특성) 實驗(실험)방법
p-n-p트랜지스터의 정특성 곡선을 구하고, 그 동작 원리와 증폭작용을 이해한다. 이 경우는 주carrier가 hole인가 전자인가의 차이일뿐 동작 원리는 같다. 중앙의 base가 n형인 경우p-n-p형의 TR이라고 하고, 중앙의 base가 p형인 경우 n-p-n형의 TR이라고 한다.
