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[工學] 반도체실험 - 다이오드[DIODE] 온도 change(변화)에 따른 characteristic(특성)

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작성일 23-10-22 04:43

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DIODE의 비선형성을 이해하고 PSPICE용 파라미터 추출을 통해 實驗(실험)결과와 PSPICE 결과를 비교한다.
2.1.3. 빛이 미치는 effect
다이오드소자를 온도계에 연결 후 뚜껑이 완전히 닫히지 않은 상태(빛 …(省略)

1) 0℃ 特性

2) 20℃ 特性

3) 80℃ 特性

다.

2. 實驗(실험) 결과

2.1. Si DIODE
Si DIODE의 온도 변화에 따른 I-V 特性과 각 온도에 따른 n, IS, RS값을 구해보고 Spice 시뮬을 통해 결과값과 비교해보자.
2.1.1. Linear Forward Region I-V 特性
DIODE의 온도 변화에 따른 Linear Forward Region에 대해 알아보겠다.
위 그림은 다이오드소자만을 따로 측정(measurement)했을 때의 측정(measurement)값이다.

실험과제/기타
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설명

[工學] 반도체실험 - 다이오드[DIODE] 온도 change(변화)에 따른 characteristic(특성)

순서

[工學] 반도체실험 - 다이오드[DIODE] 온도 change(변화)에 따른 characteristic(특성)

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DIODE 온도 변화에 따른 特性

1. 實驗(실험) 목표(目標)

소자分析기를 이용하여 DIODE 온도 변화에 따른 전류-전압 特性을 측정(measurement)한다.
위 그림은 온도가 0도에서 처음 하여 20도씩 증가하여 80도까지 올라가는 Linear Forward I-V 特性인데 온도가 증가함에 따라 더 낮은 Forward Voltage에서 상승곡선이 올라가는 것을 확인할 수 있따
2.1.2. Logarithm Forward Region I-V 特性
DIODE소자가 상온일 때의 Logarithm Forward Region에 대해 알아보겠다.

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