반도체공학 test(실험) - Metal Deposition
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작성일 23-02-11 12:48
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實驗(실험) 과정
순서
Four point probe, tweezer, teflon beakers, safety gadgets
증착시키는 공정인 ‘Metal deposition’을 실시하여 기판의 면저항을 측정(measurement)한다.
바) 증발된 Metal은 온도가 상대적으로 낮은 Wafer 기판에 닿으면 증착된다된다.
1) 진공장비 : Gauge, Valve, Gas line, Pumps, ect
증발한다.
1) BOE용액과 DI water를 사용해 Si 기판을 세정한다.
2) E-beam Evaporator를 이용하여 NI을 증착시킨다. 증착시키는 금속을 Ni로 증착 두께를 10nm, 20nm, 30nm로 변화를 주어 증착 두께를 조정함에 따라 제품의 면저항에 어떤 영향을 끼치는지 확인하고자 한다.
test(실험) 목적
나) Holder에 Si 기판을 위치하고 Shadow mask를 장착 후 Chamber를 닫는다.
금속을 Ni로 증착 두께를 10nm, 20nm, 30nm로 變化(변화)를 주어 증착 두께를 조정함에 따라
나. 實驗(실험) 준비물
실험 목적 MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Dry etching’을 실시한 후 Si기판 위에 금속을 증착시키는 공정인 ‘Metal deposition’을 실시하여 기판의 면저항을 측정한다.
마) Joule heating에 의해 온도가 올라가고 녹는점 이상에서 Metal source가
다. 증착시키는
2) 기타장비 : Metal source(Ni), BOE 용액, DI water, Ecthed Si wafer pieces
반도체공학 실험,Metal Deposition
설명
3. 결과 및 고찰
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Dry etching’을 실시한 후 Si기판 위에 금속을
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다.
라) Metal source에 전기를 흘려준다.
레포트 > 공학,기술계열
<디스커션>
반도체공학 test(실험) - Metal Deposition
제품의 면저항에 어떤 influence을 끼치는지 확인하고자 한다.
3) 증착을 마친 Wafer를 Four Point Probe를 이용하여 면저항을 측정한다.
다) Chamber를 고진공(~ Torr) 상태로 만든다.
가) Metal source(Ni)를 Boat에 담아 용융점이 높은 턴스텐 판 위에 올린다.
