[자연과학] 전자전기설계실험 - MOSFET (MOSFET Amplifier Circuit)
페이지 정보
작성일 23-11-18 13:15
본문
Download : [자연과학] 전자전기설계실험 - MOSFET (MOSFET Amplifier Circuit).doc
[자연과학] 전자전기설계실험 - MOSFET (MOSFET Amplifier Circuit)
전자전기설계實驗 - MOSFET (MOSFET Amplifier Circuit)
( 목 차 (
Abstract.
Introduction
Materials & Methods
Result
Discussion
Conclusion
Abstract (
이번 實驗은 transistor 2N7000의 특성(特性)을 알아보고, 이것을 사용한 Common-Source 증폭기 회로를 직접 구현해보고 그 특성(特性)을 이해한다.
Materials & Methods (
( 實驗도구 (
Function Generator, Oscilloscope, Power Supply, Multi-meter, 와이어, 빵판, 500Ω 2kΩ 10kΩ 20kΩ 1MΩ 6.7MΩ 저항, 2N7000, 47uF 캐패시터 3개
( 實驗내용 (
[1-1] 사전보고서의 내용에 따라 Common-Source Amplifier를 설계하시오.
[1-2] MOS transistor가 Saturation 동작 영역에 있음을 검증하시오.
[2-1] 사전 보고서의 내용에 따라 [2-1~4]의 實驗을 수행하여 RS의 역할…(생략(省略))
설명
순서
[자연과학],전자전기설계실험,-,MOSFET,(MOSFET,Amplifier,Circuit),자연과학,레포트
[자연과학] 전자전기설계실험 - MOSFET (MOSFET Amplifier Circuit)
Download : [자연과학] 전자전기설계실험 - MOSFET (MOSFET Amplifier Circuit).doc( 57 )
레포트/자연과학
[자연과학] 전자전기설계실험 - MOSFET (MOSFET Amplifier Circuit) , [자연과학] 전자전기설계실험 - MOSFET (MOSFET Amplifier Circuit)자연과학레포트 , [자연과학] 전자전기설계실험 - MOSFET (MOSFET Amplifier Circuit)
![[자연과학]%20전자전기설계실험%20-%20MOSFET%20(MOSFET%20Amplifier%20Circuit)_doc_01.gif](http://www.allreport.co.kr/View/%5B%EC%9E%90%EC%97%B0%EA%B3%BC%ED%95%99%5D%20%EC%A0%84%EC%9E%90%EC%A0%84%EA%B8%B0%EC%84%A4%EA%B3%84%EC%8B%A4%ED%97%98%20-%20MOSFET%20(MOSFET%20Amplifier%20Circuit)_doc_01.gif)
![[자연과학]%20전자전기설계실험%20-%20MOSFET%20(MOSFET%20Amplifier%20Circuit)_doc_02.gif](http://www.allreport.co.kr/View/%5B%EC%9E%90%EC%97%B0%EA%B3%BC%ED%95%99%5D%20%EC%A0%84%EC%9E%90%EC%A0%84%EA%B8%B0%EC%84%A4%EA%B3%84%EC%8B%A4%ED%97%98%20-%20MOSFET%20(MOSFET%20Amplifier%20Circuit)_doc_02.gif)
![[자연과학]%20전자전기설계실험%20-%20MOSFET%20(MOSFET%20Amplifier%20Circuit)_doc_03.gif](http://www.allreport.co.kr/View/%5B%EC%9E%90%EC%97%B0%EA%B3%BC%ED%95%99%5D%20%EC%A0%84%EC%9E%90%EC%A0%84%EA%B8%B0%EC%84%A4%EA%B3%84%EC%8B%A4%ED%97%98%20-%20MOSFET%20(MOSFET%20Amplifier%20Circuit)_doc_03.gif)
![[자연과학]%20전자전기설계실험%20-%20MOSFET%20(MOSFET%20Amplifier%20Circuit)_doc_04.gif](http://www.allreport.co.kr/View/%5B%EC%9E%90%EC%97%B0%EA%B3%BC%ED%95%99%5D%20%EC%A0%84%EC%9E%90%EC%A0%84%EA%B8%B0%EC%84%A4%EA%B3%84%EC%8B%A4%ED%97%98%20-%20MOSFET%20(MOSFET%20Amplifier%20Circuit)_doc_04.gif)
![[자연과학]%20전자전기설계실험%20-%20MOSFET%20(MOSFET%20Amplifier%20Circuit)_doc_05.gif](http://www.allreport.co.kr/View/%5B%EC%9E%90%EC%97%B0%EA%B3%BC%ED%95%99%5D%20%EC%A0%84%EC%9E%90%EC%A0%84%EA%B8%B0%EC%84%A4%EA%B3%84%EC%8B%A4%ED%97%98%20-%20MOSFET%20(MOSFET%20Amplifier%20Circuit)_doc_05.gif)
![[자연과학]%20전자전기설계실험%20-%20MOSFET%20(MOSFET%20Amplifier%20Circuit)_doc_06.gif](http://www.allreport.co.kr/View/%5B%EC%9E%90%EC%97%B0%EA%B3%BC%ED%95%99%5D%20%EC%A0%84%EC%9E%90%EC%A0%84%EA%B8%B0%EC%84%A4%EA%B3%84%EC%8B%A4%ED%97%98%20-%20MOSFET%20(MOSFET%20Amplifier%20Circuit)_doc_06.gif)
다. 온도가 80도일 때도 Rs 〓 0 일경우 Rg1을 18M로 alteration(변화) 시켰을 때 VGS IDS 값이 비슷하게 나왔다. 實驗한 결과,
Introduction (
2N7000
결과 예측
VGS〓-5.348nV IDS〓 16.03pA VGS〓-12.943nV IDS〓 31.22pA (온도 : 80도) Rs 〓 0 일경우 Rg1을 18M로 alteration(변화) 시켰을 때 VGS
IDS 값이 비슷하게 나왔다.
