유기발광다이오드
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작성일 23-10-03 01:09
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Schottky 효능는 금속과 반도체 접합에서 금속에 유도 되는 영상전하 때문에 반도체 쪽의 포텐셜 장벽 높이는 전기장에 의존하고 다음과 같이 쓸 수 있다 [6]
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유기발광다이오드
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다.
유기EL의원리및물질
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유기발광다이오드에 대한 글입니다.[6,7]
여기서 ø는 실제 유기 박막에 전기장이 걸렸을 때의 포텐셜 장벽 높이이므로 전압이 가해지지 않을 때의 에너지 장벽 높이 ø0를 구하면 Schottky 효능에 의해 낮아지는 포텐셜 장벽을 고려해야 한다. 주입되는 전하가 전극과 유기 박막 사이에 생긴 삼각형 모양의 포텐셜 장벽을 통과한다고 가정하면 상수 χ는 다음과 같이 주어진다.
FN 터널링 theory(이론)에 의한 전류-전압 特性(특성)은 다음과 같이 주어지는데,[7]
여기서 F는 전기장이고 χ는 포텐셜 장벽의 모양에 따라 결정되는 값이다.
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여기서 Js는 포화 전류 밀도 (saturation current density), A*는 전자의 유효질량, k는 Boltzmann 상수, T는 온도, h는 Plank 상수, ø는 포텐셜 장벽의 높이이다.
