에미터-베이스 접합구조와 온도alteration(변화) 에 따른 HBT의 DC및 AC characteristic(특성)
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작성일 24-04-09 15:11
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HBT의 장점(長點)
Wide Bandgap Emitter Structure
Low Base Current
High Current gain
High Base Doping & Low Emitter Doping
Low Base resistance
Low Emitter-Base capacitance (CJE)
High Cutoff- frequency (fT)
Abrupt and Graded Heterojunction
Abrupt Heterojunction
서로 다른 물질을 mole fraction
조절 없이 접합한 구조
Spike에 의한 높은 전위언덕
낮은 Emitter 주입효율
Collector Current가 작다
Graded Heterojunction
접합지점에서 접합의 경계면까지 mole fraction을 變化
Abrupt에 비해 Spike의 높이가 낮아져 전위언덕 높이 감소
Abrupt보다 상대적으로 큰 Collector Current를 가진다.
HBT의 advantage(장점) 과 DC 및 AC characteristic(특성)에 대상으로하여 설명한 파워포인트 자료입니다.
Undoped Setback layer
Base로 주입되는 전자의 전위장벽 상대적 감소
에미터 주입효율 향상
Setback Layer 추가 시 공핍 영역의 recombination도 증가
Setback layer 두께와 전류이득
관계에 따라 적절한 Setback Layer 두께 설계 필요
다.
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에미터-베이스접합구조와온도alteration(변화) 에따른H[1]..
HBT의 장점과 DC 및 AC 특성에 대해서 설명한 파워포인트 자료입니다.
