transistor등가회로
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작성일 23-09-12 18:28
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-파라미터는 4단자(terminal)회로망에 대하여
식 3
의 식으로 표시된다된다. (비가역회로).
,공학기술,레포트
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다. 는 가 역방향바이어스 되어 나타나는 저항으로서 그 크기는 수 ㏁정도이다.
transistor등가회로
정상바이어스된 트랜지스터의 소신호 입력에 대한 하이브리드 파라미터 모델(hybrid parameter model) 과 T-등가회로 (T-equivalent circuit)를 각각, 그리고 상호 연관지어, 이해하고 측정하여 트랜지스터의 등가회로를 꾸미는 실험리포트입니다.
이때 이고, 이다.트랜지스터등가회로 , 트랜지스터등가회로공학기술레포트 ,
순서
정상바이어스된 transistor의 소신호 입력에 대한 하이브리드 파라미터 모델(hybrid parameter model) 과 T-등가회로 (T-equivalent circuit)를 각각, 그리고 상호 연관지어, 이해하고 측정(測定) 하여 transistor의 등가회로를 꾸미는 experiment(실험)리포트입니다.
다음은 -등가회로를 -파리미터와 비교해 보도록 한다.
transistor등가회로
설명
레포트/공학기술
여기서 는 가 순방향바이어스 되어 나타나는 저항으로서 작은 값을 가지며, 정상온도에서 동작점이 정해지면 동작점의 전류 (mA)에 대상으로하여
(Ω) 식 1
의 관계로써 구해진다. 는 에 대한 의 비를 표시했던 전류전달률과 같은 것으로 간주하면 된다된다. 일반적으로 수동소자의 경우에 있어서는 이 되어 가역회로(reciprocal circuit) 이지만, transistor(트랜지스터) -등가회로의 경우에 있어서는 이며, 이것은 transistor(트랜지스터) 가 능동소자이기 때문에 입출력을 바꾸었을 때 특성(特性)이 달라짐을 의미한다. 는 낮게 도핑(doping)된 베이스 부분을 가로지르는 저항을 표시하며, 컬렉터전압에 따라서 실제 베이스 길이가 변하기 때문에 도 따라서 alteration(변화) 한다.
이들의 대한 대표적인 크기는
Ω
㏁ Ω 식 2
정도이다.
식 4
여기서 특기할 만한 사실은 와 이 서로 다르다는 점이다.
